[发明专利]一种闪存及其制备方法

摘要

本发明提供了一种闪存及其制造方法，所述闪存的制造方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底包括相邻的单元区和高电阻多晶硅区，在单元区和高电阻多晶硅区的半导体衬底上均形成有字线结构；对字线结构进行P型离子注入；形成图形化的掩模层，掩模层覆盖了高电阻多晶硅区，并暴露出单元区的字线结构；以图形化的掩模层为掩模，对单元区的字线结构进行N型离子注入，并清除掩模层，以形成闪存。本发明通过在高电阻多晶硅区形成字线结构，使得无需增加掩模板的情况下，可以利用现有的掩模板制备的电阻多晶硅，其降低了生产成本；还通过上述步骤在高电阻多晶硅区形成了表面电阻高，温度系数低的字线结构。

主权项

1.一种闪存的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻的单元区和高电阻多晶硅区，在所述单元区和高电阻多晶硅区的半导体衬底上均形成有字线结构；/n对所述单元区和高电阻多晶硅区的字线结构进行P型离子注入；/n在所述单元区和高电阻多晶硅区形成图形化的掩模层，所述掩模层覆盖了所述高电阻多晶硅区，并暴露出所述单元区的字线结构；以及/n以图形化的所述掩模层为掩模，对所述单元区的字线结构进行N型离子注入，并清除所述掩模层，以形成闪存。/n