[发明专利]一种利用ALD工艺对静电吸盘进行处理的方法

摘要

本发明公开了一种利用ALD工艺对静电吸盘进行处理的方法，包含：步骤1，将静电吸盘置于原子层沉积反应器中，通入第一反应气体，进行第一化学吸附，使得第一反应气体吸附至静电吸盘表面；步骤2，采用氮气流吹扫；步骤3，通入第二反应气体，进行第二化学吸附；步骤4，采用氮气流吹扫；步骤5，重复步骤1‑4，直到所述静电吸盘符合要求。本发明利用ALD工艺增强原E‑chuck的孔附近的耐击穿性能，对其进行有效的绝缘防护，达到稳定运行和延长使用寿命、降低成本的作用。该方法不仅有效解决电弧放电问题；且工艺过程不引入颗粒与金属污染；尤其适用于高功率和/或高温具有腐蚀性工艺气体的等离子体刻蚀环境。