[发明专利]一种用于铜互联电路中的扩散阻挡层在审
| 申请号： | 201910921994.3 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110634837A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 马旭梁;任义 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙;23 |
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| 摘要： | 一种用于铜互联电路中的扩散阻挡层材料及其制备方法，本发明涉及一种新型有机材料的成分设计并对新型有机材料进行初选及优选。本发明主要解决目前传统的Ta/TaN扩散阻挡层的耐温性及覆盖性问题，新型有机扩散阻挡层的覆盖率远高于Ta/TaN材料。本有机物由C、H、O、N、Si五种元素组成。本发明以Si（100）为基体，通过有机物自组装生长的方法制得。本材料的力学性能和电学性能良好。本发明制备的材料可用于集成电路中阻止铜的硅相互扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散阻挡层 有机材料 有机物 制备 扩散阻挡层材料 自组装生长 成分设计 电学性能 互联电路 力学性能 元素组成 传统的 覆盖性 耐温性 可用 优选 初选 集成电路 覆盖率 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种用于铜互联电路中的扩散阻挡层材料，其特征在于有机物由五种元素C、H、O、N、Si组成，其中C含量为40%，H含量为9.4%，O含量为26.7%, N含量为8.2%，Si含量为15.7%。/n
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