[发明专利]形成半导体结构的方法及半导体结构在审
| 申请号： | 201910922135.6 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112582252A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 洪政源;田伟辰;黄俊凯;叶昌鑫;吴以德 | 申请（专利权）人： | 财团法人金属工业研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/26;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种形成半导体结构的方法及半导体结构，此方法包含提供半导体基板以及使用射频等离子体设备对半导体基板进行表面处理，以在半导体基板的一侧形成钝化层。射频等离子体设备对半导体基板进行表面处理时使用的等离子体源包含氧元素气体，且在射频等离子体设备所形成的等离子体中，对应777纳米的光谱强度约为对应844纳米的光谱强度的0.5倍至2倍。本发明可使得形成的钝化层至少具有低厚度和高均匀度等特性，进而提升半导体结构的产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
