[发明专利]具有屏蔽结构的晶体管、封装装置和其制造方法在审
| 申请号： | 201910922460.2 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957302A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 维卡斯·希利姆卡;凯文·金;埃尔纳·鲁埃达;胡马云·卡比尔 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/538;H01L23/31;H01L23/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴晓兵 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种晶体管包括具有形成于其中的有源装置区的半导体基板和处于所述半导体基板的第一表面上的互连结构。所述互连结构由多层介电材料和导电材料形成。漏极流道和栅极流道形成于所述互连结构中。屏蔽结构在所述互连结构的第二表面上方延伸，所述屏蔽结构定位在所述漏极流道与所述栅极流道之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽 结构 晶体管 封装 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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