[发明专利]一种铌基超导器件刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910922721.0 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110649152A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 谷志强;吴愧;蒋中原;车东晨;许开东;吴志浩 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;C23F1/44 |
| 代理公司： | 32200 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 沈进 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铌基超导器件刻蚀方法，包括以下步骤：在全程保持真空状态的条件下，将待刻蚀的铌基器件放入至反应离子刻蚀腔，通入刻蚀气体进行刻蚀，所述刻蚀气体为C | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 混合气体 刻蚀气体 停止层 沉积 铌基 反应离子刻蚀 亚微米级图形 大尺寸图形 光刻胶掩膜 超导器件 刻蚀效果 真空状态 硬掩膜 产能 放入 良率 取出 保证 全程 | ||
【主权项】：
1.一种铌基超导器件刻蚀方法，其特征在于包括以下步骤：在全程保持真空状态的条件下，将待刻蚀的铌基器件放入至反应离子刻蚀腔，通入刻蚀气体进行刻蚀，所述刻蚀气体为C
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