[发明专利]功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910922782.7 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110718583A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李奎炫;李世炅;尹斗锡;姜秀贤;崔嵘澈 | 申请（专利权）人： | 快捷韩国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张玮;马芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了功率器件及其制造方法，所述功率器件具有基于半导体衬底的处于集电极区与漂移区之间的以FS‑IGBT结构形式的场阻止(FS)层，其中所述FS层的厚度以及所述集电极区的杂质密度易于调整，且FS层具有改进的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 功率器件 集电极区 漂移区 衬底 半导体 制造 改进 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，包括：/n第一传导类型的半导体衬底；/n第一传导类型场阻止(FS)层，设置在所述半导体衬底上，所述FS层具有杂质密度比所述半导体衬底的杂质密度更高的区段；/n第一传导类型外延层的漂移区，设置在所述FS层上且具有的杂质密度低于所述半导体衬底的杂质密度；/n第二传导类型基极区，设置在所述漂移区的上部中；/n第一传导类型发射极区，设置在所述第二传导类型基极区的上部中；/n栅电极，位于栅绝缘层上，其中所述栅绝缘层在所述漂移区、所述第二传导类型基极区、以及所述第一传导类型发射极区的上方；以及/n第二传导类型集电极区，设置在所述半导体衬底下方。/n
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