[发明专利]半导体器件、半导体部件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910922865.6 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN111009573A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | C.冯科布林斯基 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件、半导体部件和制造半导体器件的方法。在实施例中，半导体器件包括半导体本体，该半导体本体包括第一主表面、与第一主表面相对的第二主表面和至少一个晶体管器件结构，布置在第一主表面上的源极焊盘和栅极焊盘，耦合到另外的器件结构的漏极焊盘和至少一个另外的接触焊盘。漏极焊盘和至少一个另外的接触焊盘布置在第二主表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 部件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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