[发明专利]一种同轴高频高功率微波器件有效
申请号: | 201910923247.3 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110718425B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 丁恩燕;张运俭 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
主分类号: | H01J23/36 | 分类号: | H01J23/36;H01J23/24 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 孙杰;蒋仕平 |
地址: | 621000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种同轴高频高功率微波器件,包括圆波导套筒及与圆波导套筒同轴的内导体,所述圆波导套筒内设置高频结构;高频结构沿电子束传输方向依次设置同轴的反射区、束流预调制区、相位调制区和束波转换区;反射区、束流预调制区、相位调制区和束波转换区分别在圆波导套筒筒壁和内导体的对应位置上设置环形槽状的腔体,圆波导套筒筒壁和内导体对应位置的腔体构成反射腔、束流预调制腔、相位调制腔和束波转换腔;束波转换区之后设置径向向内凸出环形的收集极;电压400kV,电流9.0kA的环形电子束在磁场强度1.2T的轴向磁场引导下在微波器件内传输,产生70GHz的高频高功率微波。采用本发明的一种同轴高频高功率微波器件,可产生高频高功率微波,且有效提高了微波产生效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 同轴 高频 功率 微波 器件 | ||
【主权项】:
1.一种同轴高频高功率微波器件,其特征在于:包括圆波导套筒及与圆波导套筒同轴的内导体,所述圆波导套筒内设置高频结构;/n内导体与圆波导套筒之间形成内直径10mm,外直径14.6mm的电子束传输通道;/n所述高频结构沿电子束传输方向依次设置同轴的反射区、束流预调制区、相位调制区和束波转换区;/n所述反射区、束流预调制区、相位调制区和束波转换区分别在圆波导套筒筒壁和内导体的对应位置上设置环形槽状的腔体,圆波导套筒筒壁和内导体对应位置的腔体构成反射腔、束流预调制腔、相位调制腔和束波转换腔;/n所述束波转换区之后设置径向向内凸出环形的收集极;/n内直径12mm,外直径12.6mm,电压400kV,电流9.0kA的环形电子束在磁场强度1.2T的轴向磁场引导下在高频结构内传输,产生频率为70GHz的高频高功率微波。/n
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