[发明专利]一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910923620.5 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110600377A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 朱泽中;朱光源;赵晓非;王都浩;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 32283 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法。涉及二极管加工工艺，尤其涉及一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法。提供了一种降低生产成本，提高加工效率和质量的一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法。本发明中在刻蚀过程中增加氧气改善了SiN/SiO选择比，将SiN/SiO的选择比从0.7左右提高至1.4左右，使得钝化层刻蚀时优先刻蚀尽SiN层，再较缓慢刻蚀SiO，保证了钝化层的刻蚀干净并且不会对划片道下层的SiO产生较多损失，提升了钝化层刻蚀后的外观良率，同时降低了正金腐蚀的返工次数，提升了产品的流转效率，降低了产品的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 表面色差 钝化层 腐蚀 晶片 选择比 二极管 加工效率 刻蚀过程 流转效率 划片道 返工 良率 下层 生产成本 氧气 保证 | ||
【主权项】：
1.一种降低晶片正金腐蚀发生表面色差的刻蚀方法，其特征在于，按以下步骤进行操作：/n1）、钝化层沉积：在晶片表面沉积一层由3000Å氧化硅和7000Å氮化硅组成的钝化层；/n2）、涂胶：在氧化层表面涂上光刻胶；/n3）、光刻固化：先在光刻胶上方覆盖光刻板，再进行光刻，从而按光刻板上的预图案形成光刻胶层,随即通过显影去除不需要保留的光刻胶区域，漏出需要刻蚀的窗口；/n4）、钝化层刻蚀：通过Ar、CF4、CHF3、O
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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