[发明专利]一种S波段三腔高功率微波器件有效

专利信息
申请号: 201910923739.2 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN110718430B 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 丁恩燕;张运俭 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
主分类号: H01J23/36 分类号: H01J23/36;H01J23/24
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 孙杰;蒋仕平
地址: 621000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种S波段三腔高功率微波器件,包括圆波导套筒,所述圆波导套筒沿电子束传输方向依次设置内直径相同的反射腔、谐振腔和提取腔,所述反射腔、谐振腔和提取腔为设置在圆波导套筒上的环形槽;电压400kV,束流强度为7.0kA的环形电子束在0.4T的轴向磁场引导下在微波器件内传输,一个脉冲时间内辐射产生频率为2.4GHz的S波段高功率微波。采用本发明的一种S波段三腔高功率微波器件,具有小型化,重量轻,易调节的优点。
搜索关键词: 一种 波段 三腔高 功率 微波 器件
【主权项】:
1.一种S波段三腔高功率微波器件,其特征在于:包括圆波导套筒,所述圆波导套筒沿电子束传输方向依次设置内直径相同的反射腔、谐振腔和提取腔,所述反射腔、谐振腔和提取腔为设置在圆波导套筒上的环形槽;/n所述微波器件轴向长度为130mm,最大直径为150mm;/n电压400kV,束流强度为7.0kA的环形电子束在0.4T的轴向磁场引导下在微波器件内传输,一个脉冲时间内辐射产生频率为2.4GHz的S波段高功率微波。/n
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