[发明专利]存储器节点接触窗的制作方法有效
| 申请号： | 201910924038.0 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112582261B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 马经纶 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种存储器节点接触窗的制作方法。所述方法包括：在衬底上形成多个位元线结构；依次形成第一绝缘材料层、第二绝缘材料层、第三绝缘材料层、第一硬掩膜材料层、第四绝缘材料层、第一有机掩膜材料层和第二硬掩膜材料层；形成掩膜层；利用条状掩膜图案为掩膜板对第一有机掩膜材料层和第二硬掩膜材料层进行刻蚀；以第一硬掩膜材料层为阻挡层去除掩膜层，并对第四绝缘材料层进行刻蚀；去除第二硬掩膜材料层，并对第一硬掩膜材料层和第三绝缘材料层进行刻蚀；对第二绝缘材料层和第一绝缘材料层进行刻蚀；形成导电层，并通过构图工艺形成多个节点接触窗。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 节点 接触 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910924038.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
