[发明专利]一种3D扇出型封装方法及结构在审

申请号：	201910924788.8	申请日：	2019-09-27
公开（公告）号：	CN110610868A	公开（公告）日：	2019-12-24
发明（设计）人：	王成迁;明雪飞;吉勇	申请（专利权）人：	中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/485;H01L23/31;H01L25/18
代理公司：	32340 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	杨立秋
地址：	214000 ***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本发明公开一种3D扇出型封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先提供硅基和玻璃载板，所述硅基正面通过截止层与所述玻璃载板键合；接着在硅基背面刻蚀TSG（Through Silicon Groove）凹槽和TSV硅通孔并形成钝化层和第一层再布线；然后制作金属焊垫和通孔焊垫，在硅基背面制作缓冲层并在其表面开口；将芯片埋入TSG凹槽，用干膜材料填充芯片与硅基间隙，并在芯片的焊盘和第一层布线处开口；再进行n层再布线，将异构芯片通过微凸点与n层重布线互连，通过塑封料塑封异构芯片；拆掉玻璃载板露出所述截止层，在金属焊垫和通孔焊垫处开口；依次形成n层再布线、阻焊层和凸点，最后切成单颗封装芯片完成最终封装。
搜索关键词：	硅基芯片玻璃载板再布线金属焊垫第一层截止层焊垫通孔异构开口集成电路封装扇出型封装背面刻蚀表面开口材料填充封装芯片钝化层硅通孔缓冲层塑封料微凸点重布线阻焊层互连布线干膜焊盘键合埋入塑封凸点封装制作背面
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【主权项】：

1.一种3D扇出型封装方法，其特征在于，包括：/n提供硅基和玻璃载板，所述硅基正面通过截止层与所述玻璃载板键合；/n在硅基背面刻蚀TSG凹槽和TSV硅通孔并形成钝化层和第一层再布线；/n在TSG凹槽底部和TSV硅通孔底部分别形成金属焊垫和通孔焊垫，在硅基背面制作缓冲层并在其表面开口；/n将芯片埋入TSG凹槽，用干膜材料填充芯片与硅基间隙，并在芯片的焊盘和第一层布线处开口；/n进行n层再布线，将异构芯片通过微凸点与n层重布线互连，通过塑封料塑封异构芯片；/n拆掉玻璃载板露出所述截止层，在金属焊垫和通孔焊垫处开口；/n依次形成n层再布线、阻焊层和凸点，最后切成单颗封装芯片完成最终封装。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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