[发明专利]FSI结构的图像传感器的晶圆级封装方法及封装结构在审
| 申请号： | 201910925286.7 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110634900A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 马书英;张梦;李凯;郑凤霞;李丰 | 申请（专利权）人： | 华天科技(昆山)电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 32293 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人： | 陈松 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了FSI结构的图像传感器的晶圆级封装方法及封装结构，能够有效增加焊盘强度，增加可靠性，减少出现焊盘被拉断的情况发生，封装方法包括以下步骤：提供晶圆，通过化学镀Ni/Au工艺在晶圆的焊盘上镀Ni/Au层；将晶圆与玻璃载板键合在一起；对晶圆进行刻蚀形成槽孔，使得晶圆上的焊盘露出；在晶圆上形成钝化层，然后在钝化层上开窗将晶圆上的焊盘露出；在钝化层上制作重布线层，通过重布线层连接晶圆上的焊盘；在重布线层上形成阻焊层，在阻焊层上开窗并制作焊球，焊球与重布线层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 焊盘 重布线层 钝化层 阻焊层 焊球 开窗 晶圆级封装 图像传感器 玻璃载板 封装结构 化学镀 槽孔 键合 刻蚀 拉断 制作 封装 | ||
【主权项】：
1.FSI结构的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述封装方法包括以下步骤：/n步骤1：提供晶圆，通过化学镀Ni/Au工艺在晶圆的焊盘上镀Ni/Au层；/n步骤2：将晶圆与玻璃载板键合在一起；/n步骤3：对晶圆进行刻蚀形成槽孔，使得晶圆上的焊盘露出；/n步骤4：在晶圆上形成钝化层，然后在钝化层上开窗将晶圆上的焊盘露出；/n步骤5：在钝化层上制作重布线层，通过重布线层连接晶圆上的焊盘；/n步骤6：在重布线层上形成阻焊层，在所述阻焊层上开窗并制作焊球，所述焊球与所述重布线层连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
