[发明专利]阵列基板的制作方法在审
| 申请号： | 201910925578.0 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112582342A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 崔承镇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种阵列基板的制作方法。该阵列基板包括薄膜晶体管，该制作方法包括：在衬底基板上依次形成第一绝缘层和半导体层，该半导体层包括该薄膜晶体管的半导体沟道区和该半导体沟道区以外的第一半导体区，对该半导体层进行导体化处理使得该第一半导体区被导体化，之后对该第一绝缘层进行第一刻蚀工艺以在该第一绝缘层中形成第一过孔，并对该半导体层进行第二刻蚀工艺以去除该第一半导体区的第一部分以及保留该第一半导体区的第二部分。该制作方法可以有效降低该阵列基板的静电放电风险。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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