[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201910925853.9 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110957355A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨哲育;杨凯杰;蔡庆威;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构的形成方法、半导体装置与其制造方法在此被公开。一种示例的半导体装置包含半导体鳍设置在基材上，其中半导体鳍包含通道区域与源极/漏极区域；栅极结构设置在半导体鳍的通道区域上，其中栅极结构包含栅极间隔与栅极堆叠；源极/漏极结构设置在半导体鳍的源极/漏极区域上；以及鳍顶硬遮罩垂直插入栅极间隔与半导体鳍之间，其中鳍顶硬遮罩包含介电层，其中鳍顶硬遮罩的侧壁与栅极堆叠直接接触，鳍顶硬遮罩的另一侧壁与源极/漏极结构直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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