[发明专利]一种晶圆外延设备的处理方法和晶圆处理方法在审
| 申请号： | 201910927394.8 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110670129A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 金柱炫;方圭哲;俎世琦 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/06;C23C16/24;C23C16/44;H01J37/32;H01L21/66 |
| 代理公司： | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆外延设备的处理方法和晶圆处理方法，晶圆外延设备的处理方法包括：在用外延设备对晶圆进行真实沉积之前，对待检测的晶圆进行假沉积处理过程，假沉积处理过程包括：向上腔室和下腔室中通入氢气；将待检测晶圆置于基座上，向上腔室中通入硅源气体且同时向下腔室中通入氢气，以在待检测晶圆的表面生长外延膜；假沉积处理过程完成后，检测待检测晶圆的少数载流子寿命并根据待检测晶圆的少数载流子寿命判断是否停止对外延设备的假沉积处理。上述方法能够有效除去腔室中的水分及其他杂质组分，通过检测待检测晶圆的少数载流子寿命判断反应腔室中是否达到对晶圆进行真实沉积的条件，能够保证晶圆生成外延膜的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 检测 腔室 少数载流子寿命 沉积处理过程 外延设备 沉积 氢气 外延膜 表面生长 反应腔室 硅源气体 下腔室 种晶 保证 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆外延设备的处理方法，所述外延设备中限定有反应腔室，所述反应腔室内设有用于放置晶圆的基座以限定出上腔室和下腔室，上腔室设有上进口，下腔室设有下进口，上腔室设有用于出气的出气口，上腔室和下腔室通过狭缝连通，其特征在于，所述处理方法包括：/n在用所述外延设备对晶圆进行真实沉积之前，对待检测的晶圆进行假沉积处理过程，所述假沉积处理过程包括：向所述上腔室和所述下腔室中通入氢气；将所述待检测晶圆置于所述基座上，向所述上腔室中通入硅源气体且同时向所述下腔室中通入氢气，以在所述待检测晶圆的表面生长外延膜；/n所述假沉积处理过程完成后，检测所述待检测晶圆的少数载流子寿命并根据所述待检测晶圆的少数载流子寿命判断是否停止对所述外延设备的假沉积处理。/n
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