[发明专利]多平面NVM处理编程出错的方法与存储设备在审
| 申请号： | 201910927449.5 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112578993A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 于松海;李德领;袁戎 | 申请（专利权）人： | 北京忆恒创源科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人： | 陈变花 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区西小口*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了多平面NVM处理编程出错的方法与存储设备。所提供的用于存储设的方法，包括：获取待回收的存储块，若存储块被标记为伪坏块，擦除所述存储块；以及若擦除所述存储块成功，将所述存储块标记为好块。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 nvm 处理 编程 出错 方法 存储 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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