[发明专利]模拟芯片发热功率及表面温度的测试方法有效

专利信息
申请号: 201910929147.1 申请日: 2019-09-28
公开(公告)号: CN110673015B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 吕倩;闫德劲;赵亮;何智航 申请(专利权)人: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 成飞(集团)公司专利中心 51121 代理人: 郭纯武
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开的一种模拟芯片发热功率及表面温度的测试方法,按如下步骤实现:在环境常温条件下,测试实际芯片样件运行工况下的表面温度T随时间τ变化的关系,获取实际芯片运行温度与时间的T‑τ曲线、表面温度与芯片发热功率Ph和时间τ的数值的到Ph‑τ曲线和电功率Pv与模拟芯片表面温度T和时间τ的关系曲线Pv‑T‑τ,建立传热数学模型与传热数学模型实际芯片尺寸相同的芯片传热模型,得到芯片发热功率Ph与模拟芯片电功率Pv关系式;连接直流电源和可编程控制器,通电加热模拟芯片,加载实际运行程序,可编程控制模块控制电压输出,测试并模拟芯片表面温度,将模拟芯片实测表面温度与实际芯片表面温度对比,实现模拟实际芯片的发热功率。
搜索关键词: 模拟 芯片 发热 功率 表面温度 测试 方法
【主权项】:
1.一种模拟芯片发热功率及表面温度的测试方法,其特征在于包括如下步骤:/n在环境常温条件下,测试实际芯片样件运行工况下的表面温度T随时间τ变化的关系,分析表面温度与芯片发热功率,得到实际芯片运行温度与时间的T-τ曲线;根据模拟芯片表面温度与芯片内部发热功率P
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