[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910929577.3 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110690230B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一;神长正美;岛行德;羽持贵士;中泽安孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;杨美灵 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：/n具有沟道形成区域的氧化物半导体膜；/n在所述氧化物半导体膜上隔着第一绝缘膜配置并且具有与所述沟道形成区域重叠的区域的栅电极；以及/n与所述氧化物半导体膜电连接并且由与所述栅电极同一层构成的源电极及漏电极，/n所述栅电极的上表面、所述源电极的上表面及所述漏电极的上表面具有与第二绝缘膜接触的区域，/n在与所述氧化物半导体膜的沟道长度方向平行的截面视图中，所述第一绝缘膜的上表面具有：与所述栅电极接触的区域、以及与所述第二绝缘膜接触且与所述氧化物半导体膜重叠的区域，/n在所述截面视图中，所述氧化物半导体膜具有：与所述第一绝缘膜接触的区域、以及与所述第二绝缘膜接触且邻接于与所述第一绝缘膜接触的区域的区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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