[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910931035.X 申请日: 2019-09-29
公开(公告)号: CN112580394A 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 李新辉;曾汉良;余俊良;林光明;陈茵;陈子端;林学荣;吕文志;陈致贤 申请(专利权)人: 世界先进积体电路股份有限公司
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00;G06K9/20;H01L23/28
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 周晓飞;许曼
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供了一种半导体装置及其制造方法,其包含提供具有导电垫于其上的衬底;在衬底上方形成透明结构,其中透明结构包含多个准直柱邻近导电垫;在这些准直柱和导电垫上方形成遮光结构;执行切割工艺以移除位于导电垫正上方的一或多个材料且留下覆盖导电垫的剩余材料,其中一或多个材料包含遮光结构的一部分;以及执行刻蚀工艺以移除剩余材料以露出导电垫。本发明可以提升导电垫的品质,进而提升半导体装置的良率。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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