[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审
| 申请号： | 201910931531.5 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN111009486A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 木山秀和;门仓雄大;石丸和俊;末松贵茂 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。该基片处理装置包括：输送至少一个作为处理对象的基片的输送装置；输送控制部，其使输送装置进行输送基片的正常输送和以比正常输送高的定位精度输送基片的高精度输送；预热控制部，其根据需要使输送装置进行不同于正常输送和高精度输送的预热动作；以及必要性判断部，其在输送装置的停止状态的持续时间超过预先设定的基准时间时，在接近高精度输送的开始时刻的情况下判断为需要预热动作。本发明能够有效提高基片相对于处理位置的定位精度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
