[发明专利]一种金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用

摘要

一种金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用，它涉及一种金修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用。本发明要解决其中一个问题是现有方法制备的掺硼金刚石在其表面修饰其他物质时，两者结合力较差，解决的另一个问题是掺硼金刚石电极材料的电化学检测灵敏度较低，现有修饰方法会阻碍掺硼金刚石材料本身电化学性能发挥。制备方法：一、硼源的制备；二、掺硼金刚石薄膜的制备；三、镀膜及退火。本发明用于金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备及应用。

主权项

1.一种金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备方法，其特征在于它是按以下步骤进行的：/n一、硼源的制备：/n将氧化硼粉研磨至粒径为5μm～100μm的细粉，然后将粒径为5μm～100μm的细粉加入到石墨粉中，搅拌均匀，然后压制成方片，得到以石墨为载体的氧化硼硼源；/n所述的氧化硼粉与石墨粉的质量比为1:(1～200)；/n二、掺硼金刚石薄膜的制备：/n将衬底及以石墨为载体的氧化硼硼源并排置于微波等离子化学气相沉积装置的样品台上，通入氢气和碳源气体，然后在氢气流速为20sccm～400sccm、碳源气体流速为1sccm～50sccm、衬底温度为500℃～1200℃、以石墨为载体的氧化硼硼源温度为700℃～1350℃、压强为50mbar～300mbar及微波功率为1200W～4000W的条件下，沉积20min～70h，在衬底表面得到掺硼金刚石薄膜，即得到表面生长有掺硼金刚石薄膜的衬底；/n三、镀膜及退火：/n将表面生长有掺硼金刚石薄膜的衬底置于磁控溅射设备中，在掺硼金刚石薄膜上镀厚度为0.1μm～5μm的金薄膜，然后置于管式炉中，加热至温度为800℃～1000℃，在氩气气氛及温度为800℃～1000℃的条件下，保温1h～3h，得到金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极。/n