[发明专利]线宽测量方法及设备有效
| 申请号： | 201910933223.6 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110491797B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 安永军;王豪;王峰 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 胡艾青;刘芳 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种线宽测量方法及设备，通过获取待测图像和预设的图形模板，其中，所述待测图像是以扫描电子显微镜对待测半导体表面拍摄的图像，具有较高的清晰度；然后在所述待测图像中，确定与预设的图形模板匹配的基准图像；根据所述基准图像的位置，确定待测目标所在的测量区域，从而对待测目标进行了区域定位，具有较高的定位准确性，也提高了线宽测量的精准性；最后根据所述测量区域中像素点的灰阶值，确定所述待测目标的线宽信息，从而自动识别待测目标的线宽信息，提高了线宽测量的效率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 测量方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种线宽测量方法，其特征在于，包括：/n获取待测图像和预设的图形模板，其中，所述待测图像是以扫描电子显微镜对待测半导体表面拍摄的图像；/n在所述待测图像中，确定与预设的图形模板匹配的基准图像；/n根据所述基准图像的位置，确定待测目标所在的测量区域；/n根据所述测量区域中像素点的灰阶值，确定所述待测目标的线宽信息。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷（固安）科技有限公司，未经云谷（固安）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910933223.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：3D磁传感器的漏电流测试结构及其形成方法
- 下一篇：基板处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
