[发明专利]SGT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910934044.4 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112582468A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 罗志云;王飞;潘梦瑜 | 申请（专利权）人： | 恒泰柯半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 冯华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种SGT器件及其制备方法，SGT器件包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，位于第一导电类型的衬底的上表面；沟槽，位于第一导电类型的外延层内；屏蔽栅介质层，覆盖沟槽的侧壁及底部；屏蔽栅极，位于沟槽内，且位于屏蔽栅介质层远离第一导电类型的外延层的表面；多晶硅栅极，位于沟槽内，且位于屏蔽栅极的上方；栅氧化层，位于沟槽的侧壁，且位于多晶硅栅极与第一导电类型的外延层之间；绝缘隔离层，位于沟槽内，且位于多晶硅栅极与屏蔽栅极之间；第二导电类型的注入区域，位于第一导电类型的外延层内，且位于沟槽的下方。本发明的SGT器件可以实现沟槽底部的电荷平衡，可以降低SGT器件的单位面积的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | sgt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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