[发明专利]产生集成电路单元布局图的方法在审
| 申请号： | 201910934511.3 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110970368A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李健兴;江庭玮;庄惠中;杨荣展;田丽钧;陈庭榆;林姿颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种产生集成电路单元布局图的方法包括在初始单元的初始集成电路(IC)布局图中邻近一对第二主动区域定位第一主动区域，以沿着单元高度方向对准第一主动区域的侧边缘与此对第二主动区域的每个第二主动区域的对应侧边缘。此方法进一步包括在第一主动区域中布置至少一个第一鳍特征，以获得具有经修改IC布局图的经修改单元。第一主动区域的侧边缘及每个第二主动区域的对应侧边缘沿着单元高度方向延伸。第一主动区域在单元高度方向上的高度尺寸小于此对第二主动区域的每个第二主动区域在单元高度方向上的高度尺寸的一半。通过处理器执行定位第一主动区域或布置至少一个第一鳍特征的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 集成电路 单元 布局 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
