[发明专利]一种半导体器件及形成方法在审
| 申请号： | 201910935432.4 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112582471A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，在形成源漏区前，在沟道区侧壁的底部区域形成扩散区。扩散区可以减小半导体器件的漏电流，能够抑制短沟道效应。或者，扩散区能够提高沟道区中载流子的迁移率，使半导体器件的漏端的势垒降低，增大半导体器件的线性电流。通过形成扩散区，能够提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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