[发明专利]一种半导体器件及形成方法在审
| 申请号： | 201910935453.6 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112582472A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，通过在隔离层的高度不同的情况下分别采用两次离子注入形成第一防穿透注入区和第二防穿透注入区，在不增大注入能量的情况下，增大防穿透注入区的深度。第一防穿透注入区和第二防穿透注入区能够更好的避免源漏区的离子向沟道区横向扩散，能够调节半导体器件的阈值电压，避免短沟道效应，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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