[发明专利]用于管理EEPROM存储器单元中的数据的写入周期的方法和系统在审

专利信息
申请号: 201910936527.8 申请日: 2016-02-23
公开(公告)号: CN110706730A 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: F·塔耶;M·巴蒂斯塔 申请(专利权)人: 意法半导体(鲁塞)公司
主分类号: G11C16/30 分类号: G11C16/30;G11C16/32;G11C16/34
代理公司: 11256 北京市金杜律师事务所 代理人: 董莘
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 本公开的实施例涉及用于管理EEPROM存储器单元中的数据的写入周期的方法和系统。一种用于在电可擦除可编程只读存储器类型的至少一个存储器单元中写入至少一个数据的操作包括:至少一个通过相应的擦除或编程脉冲来对单元进行擦除或编程的步骤。写入操作的正确或错误执行通过在相应的擦除或编程步骤期间分析擦除或编程脉冲的形状来进行检查。该分析的结果表示写入操作被正确或错误地执行。
搜索关键词: 擦除 编程脉冲 写入操作 电可擦除可编程只读存储器 存储器单元 编程步骤 写入周期 编程 写入 分析 检查 管理
【主权项】:
1.一种方法,包括:/n激活高电压发生器以产生电压脉冲,所述高电压发生器从电源接收所述高电压发生器的输入电压;/n分析所述电压脉冲的形状;以及/n基于所述分析所述电压脉冲的所述形状,确定所述高电压发生器的所述输入电压是低或者良好。/n
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