[发明专利]一种半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201910936760.6 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112582473A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法。在本发明实施例中，通过刻蚀相邻鳍部之间的伪栅，形成凹槽，以使所述伪栅分为相互分离的两部分。并在凹槽两侧的伪栅的侧壁上形成延伸层，所述延伸层用于调整凹槽的尺寸，使凹槽的侧壁与凹槽两侧的鳍部之间的距离增大，增大形成的栅极容置结构的尺寸。能够扩大后续在栅极容置结构中生长栅极的工艺窗口，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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