[发明专利]一种二能级缺陷空间分布的测量方法及测量装置有效

专利信息
申请号: 201910937227.1 申请日: 2019-09-29
公开(公告)号: CN110646503B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 冯加贵;武彪;熊康林;孙骏逸;黄永丹;丁孙安;陆晓鸣;芮芳 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: G01N27/82 分类号: G01N27/82
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 215123 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种二能级缺陷空间分布的测量方法及测量装置,该二能级缺陷空间分布的测量方法包括:对超导量子比特施加偏置磁场,并获取所述超导量子比特的频率‑偏置磁通的关系曲线;通过二能级缺陷空间分布的测量装置的扫描探针输出的局域扫描电场对超导量子比特表面逐点扫描;若所述超导量子比特的频率随着时间的变换存在震荡变化,则所述扫描探针所处扫描点存在二能级缺陷。本实施例提供一种二能级缺陷空间分布的测量方法及测量装置,以表征超导量子芯片中的二能级缺陷的空间分布情况。
搜索关键词: 一种 能级 缺陷 空间 分布 测量方法 测量 装置
【主权项】:
1.一种二能级缺陷空间分布的测量方法,其特征在于,包括:/n对超导量子比特施加偏置磁场,并获取超导量子比特的频率-偏置磁通的关系曲线;/n通过二能级缺陷空间分布的测量装置的扫描探针输出的局域扫描电场对超导量子比特表面逐点扫描;/n若所述超导量子比特的频率随着时间的变换存在震荡变化,则所述扫描探针所处扫描点存在二能级缺陷。/n
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