[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910937461.4 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110676324A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一;神长正美;岛行德;羽持贵士;中泽安孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李啸;杨美灵 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体装置 漏电极 源电极 栅电极 氧化物半导体膜 氧化物半导体 顶栅结构 驱动电路 通态电流 杂质元素 不重叠 导电膜 像素部 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：/n具有沟道形成区域的氧化物半导体膜；/n在所述氧化物半导体膜的下方隔着第一绝缘膜配置并且具有与所述沟道形成区域重叠的区域的第一导电膜；/n在所述氧化物半导体膜的上方隔着第二绝缘膜配置并且具有与所述沟道形成区域重叠的区域的第二导电膜；以及/n与所述氧化物半导体膜电连接并且由与所述第二导电膜同一层构成的源电极及漏电极，/n在与所述氧化物半导体膜的沟道长度方向平行的截面视图中，所述第一导电膜的宽度比所述第二导电膜的宽度大。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910937461.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：NMOS晶体管及其形成方法、电荷泵电路
- 下一篇：半导体结构与其制作工艺
- 同类专利
- 专利分类
