[发明专利]一种用于形成半导体器件的栅极的方法在审

专利信息
申请号: 201910937811.7 申请日: 2019-09-30
公开(公告)号: CN111029251A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 曾文德;E·阿尔塔米拉诺桑切兹;A·德拉比;Y·汤姆曹克 申请(专利权)人: IMEC非营利协会
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 杨洁;陈斌
地址: 比利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据本发明构思的一方面,提供了一种用于形成半导体器件的栅极的方法,该方法包括:提供半导体结构,所述半导体结构包括基板和在所述基板上方突出的沟道结构,在沟道结构上形成栅极介电层,在栅极介电层上形成栅极功函数金属层,沉积硅的牺牲材料以形成初步牺牲栅极填充结构,所述初步牺牲栅极填充结构覆盖所述功函数金属并且在所述基板上方突出达初始高度,回蚀所述初步牺牲栅极填充结构的上表面以获得在所述基板上方的高度减小了的最终牺牲栅极填充结构,以及通过转化反应用导电栅极填充材料代替所述最终牺牲栅极填充结构的牺牲材料,由此形成用于所述沟道结构的栅电极。
搜索关键词: 一种 用于 形成 半导体器件 栅极 方法
【主权项】:
暂无信息
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