[发明专利]一种基于随机性磁畴壁移动的可重构PUF构造方法有效
| 申请号： | 201910938009.X | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110752287B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 游龙;曹真;李若凡;张帅;洪正敏 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/14;H01L43/08;G11C11/22 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于随机性磁畴壁移动的可重构PUF构造方法，属于信息安全领域。包括：在具有SOT效应的器件中的各非易失器件的第一对底电极通入复位电流脉冲，同时加外磁场，使得各非易失器件中铁磁层的磁畴磁化方向相同；保持磁场不变，在各非易失器件的第一对底电极通入与复位电流脉冲方向相反的置位电流脉冲，使得各非易失器件的磁畴壁产生随机性的移动；在各非易失器件的第一对底电极通入测试电流，读取各非易失器件的反常霍尔电阻；将组成具有SOT效应的器件的各个非易失器件阵列的反常霍尔电阻转化为二进制密码，从而实现可重构PUF。本发明利用电流或者磁场作用于磁畴壁，推动磁畴壁随机性移动，该PUF结构简单，随机性即安全性有保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 随机性 磁畴壁 移动 可重构 puf 构造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于随机性磁畴壁移动的可重构PUF构造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：/nS1.在具有SOT效应的器件中的各非易失器件的第一对底电极通入复位电流脉冲，同时加外磁场，使得各非易失器件中铁磁层的磁畴磁化方向相同；/nS2.保持磁场不变，在各非易失器件的第一对底电极通入与复位电流脉冲方向相反的置位电流脉冲，使得各非易失器件的磁畴壁产生随机性的移动；/nS3.在各非易失器件的第一对底电极通入测试电流，读取各非易失器件的反常霍尔电阻；/nS4.将组成具有SOT效应的器件的各个非易失器件阵列的反常霍尔电阻转化为二进制密码，从而实现可重构PUF；/n所述基于铁磁材料具有SOT效应的器件，该器件由多个非易失器件阵列组成，所述非易失器件具有多层膜结构，从下至上依次包括：由重金属材料或者拓扑绝缘体制成的自旋流生成层、第一对底电极和第二对底电极；由铁磁材料制成的铁磁层；由绝缘材料制成的绝缘层；由重金属材料制成的盖帽层；第一对底电极和第二对底电极相互正交；/n当铁磁层磁矩的易轴方向是垂直方向，外磁场方向与复位电流脉冲方向相反，当铁磁层磁矩的易轴方向是水平方向，外磁场方向垂直向上。/n
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