[发明专利]FDSOI标准单元的填充图形的生成方法以及版图布局方法有效
| 申请号： | 201910938131.7 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110660792B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张凯;胡晓明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种FDSOI标准单元的填充图形的生成方法以及版图布局方法，该方法包括：获取标准单元库中FDSOI标准单元的参数；根据FDSOI标准单元的参数确定填充单元的参数；根据填充单元的参数生成FDSOI标准单元的填充图形。本申请通过根据FDSOI标准单元的参数确定填充单元的参数，根据填充单元的参数生成FDSOI标准单元的填充图形，由于填充单元的参数是基于FDSOI标准单元的参数确定的，因此能够解决不同类型的FDSOI器件之间的拼接问题，实现了不同类型的FDSOI器件在同一张晶圆上制备，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | fdsoi 标准 单元 填充 图形 生成 方法 以及 版图 布局 | ||
【主权项】：
1.一种FDSOI标准单元的填充图形的生成方法，其特征在于，所述方法应用于半导体制造，所述方法包括：/n获取标准单元库中FDSOI标准单元的参数；/n根据所述FDSOI标准单元的参数确定填充单元的参数；/n根据所述填充单元的参数生成FDSOI标准单元的填充图形。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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