[发明专利]磁性随机存取存储器及基于STT MARM的可重构PUF方法有效
| 申请号： | 201910938265.9 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110706727B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 胡玉鹏;伍麟珺;张吉良;黄芸;黄靖 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强;王娟 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁性随机存取存储器及基于STT MARM的可重构PUF方法，磁性随机存取存储器包括多行存储单元，每一行包括多个存储单元，每一行的所有存储单元的源选择线相互连接后接地；每一行所有存储单元的字选择线相互连接并接入WL编码器；相邻两行存储单元之间通过交叉结构连接；最后一行存储单元通过最后一个交叉结构接解码器。本发明在传统STT‑MRAM中插入DEMUX，构成可重构PUF结构，利用设计的位线上的并联电流产生响应位，根据所提出的邻近位线可重构算法和N选1可重构算法，增大对比并联电流的差异，从而获得稳定的响应输出。在保证可靠性的情况下，将资源开销限制在可接受范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机存取存储器 基于 stt marm 可重构 puf 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存取存储器，其特征在于，包括多行存储单元，每一行包括多个存储单元，每一行的所有存储单元的源选择线相互连接后接地；每一行所有存储单元的字选择线相互连接并接入WL编码器；相邻两行存储单元之间通过交叉结构连接；最后一行存储单元通过最后一个交叉结构接解码器。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南大学，未经湖南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910938265.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
