[发明专利]一种高迁移率二维Bi2有效

专利信息
申请号: 201910938428.3 申请日: 2019-09-30
公开(公告)号: CN110676386B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 於黄忠;黄承稳 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 雷月华
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种高迁移率二维Bi2O2Se掺杂的三元太阳能电池及其制备方法。所述高迁移率二维Bi2O2Se掺杂的三元太阳能电池自下而上依次包括阴极基底、电子传输层、活性层、空穴传输层以及阳极层;所述活性层为掺杂二维Bi2O2Se纳米片的PBDB‑T/ITIC。通过在活性层中掺杂高电导率二维Bi2O2Se纳米片可以有效地提升有机太阳能电池的电荷传输效率,减少电子空穴对的复合,进而提高掺杂有机太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 迁移率 二维 bi base sub
【主权项】:
1.一种高迁移率二维Bi
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