[发明专利]一种图形化划道消除Ge/Si键合界面气泡的方法在审
| 申请号： | 201910938437.2 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110634797A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 柯少颖;陈松岩;黄东林;周锦荣 | 申请（专利权）人： | 闽南师范大学;厦门大学 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 35100 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林文弘;蔡学俊 |
| 地址： | 363000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种图形化划道消除Ge/Si键合界面气泡的方法，首先采用砂轮划片机在晶片表面切割出宽度为微米级等间距的凹槽，其次在Si片和Ge片表面生长一层a‑Ge作为键合中间层，通过切割出的凹槽实现退火过程中形成的副产物的有效排出，避免副产物的堆积。 | ||
| 搜索关键词： | 副产物 切割 砂轮 表面生长 键合界面 晶片表面 退火过程 划片机 图形化 微米级 中间层 划道 键合 排出 堆积 | ||
【主权项】：
1.一种图形化划道消除Ge/Si键合界面气泡的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将Si片的背面黏附于蓝膜上，将蓝膜加热到50 ℃，保持5~10 min，采用砂轮划片机在Si片正面切割出厚度为微米级的等间距划道；/n2）经上述1）步骤处理后的Si片和Ge片分别用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗10~15 min，去除基底表面吸附颗粒物和有机物；/n3）经上述2）步骤清洗后的Si片，先用体积配比为H
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于闽南师范大学;厦门大学，未经闽南师范大学;厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910938437.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
