[发明专利]一种表面发射的DFB半导体激光器阵列及制作方法在审
| 申请号： | 201910938647.1 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110661172A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 李连艳;吴义涛;张梓铭;张云山;陆骏;陈向飞 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40 |
| 代理公司： | 32243 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张玉红 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种表面发射的DFB半导体激光器阵列及制作方法，将边发射DFB半导体激光器或激光器阵列的出光方向通过一定的结构转换为表面发射的，能够充分利用PWB技术在芯片横向平面上的高分辨率，便于三维聚合物波导的设计和制作，提高激光器阵列与SOI波导阵列集成的耦合效率和综合性能，有利于大规模硅基光子集成芯片的生产和应用；表面发射可以在不解理的情况下对激光器阵列芯片进行测试和挑选，过滤掉一些性能不满足要求的激光器，提高了集成芯片的处理和制作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 表面发射 激光器阵列 半导体激光器阵列 激光器阵列芯片 半导体激光器 硅基光子集成 三维聚合物 设计和制作 高分辨率 集成芯片 结构转换 芯片横向 阵列集成 综合性能 耦合效率 激光器 边发射 波导 制作 过滤 芯片 测试 应用 生产 | ||
【主权项】：
1.一种表面发射的DFB半导体激光器阵列，其特征在于：包括DFB激光器阵列(1)和出光窗口阵列(2)，所述出光窗口阵列(2)设置在DFB激光器阵列(1)旁，且DFB激光器阵列(1)和出光窗口阵列(2)位于相同的外延片上，所述外延片包括N电极(3)、衬底(4)、下限制层(5)、多量子阱层(6)、上限制层(7)、光栅层(8)、腐蚀阻止层(9)、脊波导层(10)、欧姆接触层(11)和P电极(12)，所述衬底(4)设置在N电极(3)上端，所述下限制层(5)设置在衬底(4)上端，所述多量子阱层(6)设置在下限制层(5)上端，所述上限制层(7)设置在多量子阱层(6)上端，所述光栅层(8)设置在上限制层(7)上端，所述腐蚀阻止层(9)设置在光栅层(8)上端，所述脊波导层(10)设置在腐蚀阻止层(9)上端，所述欧姆接触层(11)设置在脊波导层(10)上，所述P电极(12)设置在欧姆接触层(11)上端，所述DFB激光器阵列(1)和出光窗口阵列(2)的数量至少为一个，且一个DFB激光器阵列(1)对应一个出光窗口阵列(2)。/n
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