[发明专利]一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件在审
| 申请号： | 201910939163.9 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110660872A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 孙海定;余华斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L33/06;H01S5/343 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 方丁一 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件，其中，多量子阱结构由交替生长的第一量子垒层和第一量子阱层组成，多量子阱结构中，沿其生长方向的最后一层为第一量子阱层。通过将多量子阱结构的最后一层设置为量子阱层，有效抑制了电子从有源区溢出，并将其应用于光电器件外延片及光电器件中，提升了光电器件的内量子效率、外量子效率和光输出功率，实现了大功率光电器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 光电器件 多量子阱结构 量子阱层 外延片 大功率光电器件 光输出功率 内量子效率 外量子效率 交替生长 量子垒层 生长方向 有效抑制 源区 制备 溢出 应用 | ||
【主权项】：
1.一种多量子阱结构，由交替生长的第一量子垒层和第一量子阱层组成，其中，所述多量子阱结构中，沿其生长方向的最后一层为所述第一量子阱层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
