[发明专利]一种在SiC衬底上制备易剥离碳膜的方法

摘要

本发明涉及一种在SiC衬底上制备易剥离碳膜的方法，包括以下步骤：S1：将SiC衬底放置到化学气相沉积设备的反应室中，进行抽真空处理；S2：将高纯氢气通入反应室，升压升温，对SiC衬底进行氢气刻蚀；S3：降温后，将高纯氢气切换成高纯氩气，升压后进行升温；S4：向反应室中通入碳源，进行碳膜生长；S5：温度和压力不变，对碳膜进行热处理；S6：重复步骤S4和步骤S5；S7：切断碳源，降温；S8：对反应室抽真空，然后通入氩气降压，关闭氩气，取出碳化硅衬底；S9：将碳膜从衬底上揭下。本发明采用碳化硅衬底，制得的碳膜和衬底之间作用力很小，可以轻松取下碳膜，且对衬底无任何损伤，衬底清洗之后还可以重复利用，降低工艺难度的同时大大节约了成本。

主权项

1.一种在SiC衬底上制备易剥离碳膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS1：将SiC衬底放置到化学气相沉积设备的反应室中，并对反应室进行抽真空处理；/nS2：将高纯氢气通入反应室，升压升温，保持一段时间，对SiC衬底进行氢气刻蚀；/nS3：降温后，将高纯氢气切换成高纯氩气，升压后进行升温；/nS4：待反应室中压力和温度稳定后，向反应室中通入碳源，进行碳膜生长；/nS5：保持反应室的温度和压力不变，对步骤S5中的碳膜进行热处理；/nS6：根据所需碳膜厚度重复步骤S4和步骤S5；/nS7：切断碳源，将反应室温度降低；/nS8：对反应室抽真空，然后通入氩气并将反应室压力升高至一个大气压，关闭氩气，打开反应室取出沉积了碳膜的碳化硅衬底；/nS9：将碳膜从衬底上揭下。/n