[发明专利]一种磁性存储器、数据存储装置及控制方法

摘要

本发明提供了一种磁性存储器、数据存储装置及控制方法，所述磁性存储器包括强自旋轨道耦合层及设于所述强自旋轨道耦合层上与所述强自旋轨道耦合层电接触的多个磁隧道结，其中，所述强自旋轨道耦合层对应于每个磁隧道结的两侧设有与所述强自旋轨道耦合层连接的第一输入电极和第一输出电极；所述磁隧道结具有垂直磁各向异性，所述磁隧道结的长和宽之比不为1，所述磁隧道结的对称轴与对应的所述强自旋轨道耦合层的对称轴形成预设夹角，本发明的磁性存储器无需外加磁场，并简化了存储器的控制电路，提高了存储密度。

主权项

1.一种磁性存储器，其特征在于，包括强自旋轨道耦合层及设于所述强自旋轨道耦合层上与所述强自旋轨道耦合层电接触的多个磁隧道结，其中，所述强自旋轨道耦合层对应于每个磁隧道结的两侧设有与所述强自旋轨道耦合层连接的第一输入电极和第一输出电极；/n所述磁隧道结具有垂直磁各向异性，所述磁隧道结的长和宽之比不为1，所述磁隧道结的对称轴与对应的所述强自旋轨道耦合层的对称轴形成预设夹角；/n其中，当向强自旋轨道耦合层的延伸方向输入第一信号时，所述多个磁隧道结呈第一阻态，当沿第一输入电极和第一输出电极的方向输入第二信号时，所述第一输入电极和所述第一输出电极对应的磁隧道结呈第二阻态。/n