[发明专利]基于范德瓦尔斯结薄膜的高灵敏度二氧化氮气体传感器的构筑方法在审
| 申请号： | 201910940803.8 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110579511A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡葆昉;卢静;金彩虹 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;C01G39/06;C01B32/194;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 31208 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及基于范德瓦尔斯结薄膜的高灵敏度二氧化氮气体传感器的构筑方法，其特征在于在不添加任何表面活性剂的条件下，通过优化的“一步法”化学合成制备高质量半导体量子点，以旋涂的方式在化学气相沉积法制备的石墨烯上均匀修饰半导体量子点，控制器件退火温度和时间，优化提升半导体量子点与石墨烯之间的范德瓦尔斯接触，制备半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结NO | ||
| 搜索关键词： | 半导体量子点 范德瓦尔斯 石墨烯 制备 退火 二氧化氮气体 高质量半导体 化学气相沉积 表面活性剂 气体传感器 响应灵敏度 循环稳定性 高灵敏度 化学合成 控制器件 柔性器件 响应 量子点 一步法 构筑 传感器 可控 修饰 旋涂 薄膜 优化 应用 恢复 表现 | ||
【主权项】：
1.一种基于范德瓦尔斯结薄膜的高灵敏度二氧化氮气体传感器的构筑方法，其特征在于，在不添加任何表面活性剂的条件下，通过“一步法”化学合成制备半导体量子点，以旋涂的方式在石墨烯上均匀修饰半导体量子点，经退火条件控制，以优化提升半导体量子点与石墨烯之间的范德瓦尔斯接触，制备半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结NO
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司，未经上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910940803.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
