[发明专利]基于磁性隧道结的神经元器件在审
| 申请号： | 201910940854.0 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112582530A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 蔡佳林;曾中明;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;G06F7/58;G06N3/063 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于磁性隧道结的神经元器件。该神经元器件包括：第一电极层；第二电极层，与所述第一电极层相对设置；磁性隧道结，设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述磁性隧道结包括依序层叠设置的磁性自由层、势垒层、钉扎层以及反铁磁层，其中所述磁性自由层具有垂直磁各向异性；电压源，连接于所述第一电极层和所述第二电极层，用于调控所述磁性自由层的翻转势垒并使得所述磁性隧道结生成随机的电脉冲信号；磁矩调节件，用于根据输入的控制电信号来调控所述磁性自由层的磁矩翻转。该神经元器件具有低功耗、真随机特性以及高集成度性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁性 隧道 神经 元器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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