[发明专利]一种点状残留改善方法在审
| 申请号： | 201910940896.4 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112582263A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 樊亚男;朱光源;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01J37/32 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种点状残留改善方法。涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域,尤其涉及一种点状残留改善方法。提供了一种操作方便，可有效避免氧化层或颗粒影响的晶片刻蚀残留方法。本发明中晶圆传送到位后，Gap调整稳定至0.9cm；腔体内压力保持在650mt，通过200sccm的CF4，250W功率运行BT步35s，刻蚀Wafer表面自然氧化层；在保证BT Step刻蚀速率的前提下，调整BT Step Gap（穿通刻蚀步骤硅片与上电极之间的间隙）与ME Step Gap（主刻蚀步骤硅片与上电极之间的间隙）一致，避免上电极往下运动过程中在Wafer（硅片）表面引入缺陷，从而改善Poly（多晶硅）点状残留，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 残留 改善 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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