[发明专利]采用折合梁结构的MEMS磁场传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201910941132.7 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111190126B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 戚昊琛;张鉴;徐雪祥;王建 | 申请（专利权）人： | 温州大学;合肥工业大学 |
| 主分类号： | G01R33/028 | 分类号： | G01R33/028 |
| 代理公司： | 合肥中腾知识产权代理事务所(普通合伙) 34232 | 代理人： | 朱家龙 |
| 地址： | 325035 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及采用折合梁结构的MEMS磁场传感器、制备工艺及用途，所述传感器包括衬底上加工的中央固定的金属T型折合梁。折合梁所形成的电极与衬底上的电极组成可变电容。本发明的原理为，T型折合梁结构上加工的金属线圈在通入电流后受到洛伦兹力使梁发生弯曲变形，从而改变两电极间距，实现电容值的改变。通过检测电容改变量即可测得磁场大小。该折合梁结构能够实现对可动极板的有效支撑，并提供相对传统结构较小的等效弹性系数，相比传统扭转梁结构，可降低传感器加工过程中的各种残余应力，提高传感器的灵敏度，降低其功耗。由于传感器的T型折合梁结构能够起到对应力的释放作用，从而增长其使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 折合 结构 mems 磁场 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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