[发明专利]焊盘结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910941895.1 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112582363A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种焊盘结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法。所述焊盘结构包括：焊盘本体，包括相对分布的上表面和下表面，所述下表面用于与芯片的内部电路电连接；沟槽，自所述上表面向所述焊盘本体的内部延伸，将所述焊盘本体分隔为测试区域和焊接区域，且所述沟槽的深度小于所述焊盘本体的厚度。本发明避免了因探针测试而导致的封装连线易失败的问题，避免了在所述测试区域与所述焊接区域之间产生较大的电阻，也避免了外界环境对芯片的损伤，进一步提高了半导体器件的性能稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 盘结 及其 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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