[发明专利]一种基于AlN/PSS复合衬底的高亮度发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 201910942692.4 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN110729383B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 贾传宇;胡西多 | 申请(专利权)人: | 东莞理工学院 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 姚招泉 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于AIN/PSS复合衬底的高亮度发光二极管及其制备方法,所述高亮度发光二极管包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、u型GaN合并层、n型GaN层、低温GaN V‑pits层、有源区、电子阻挡层、高温p型GaN层和接触层。本发明的高亮度发光二极管包括新型结构的u‑GaN合并层,以及V‑pits层和有源区,能够有效提高外延层晶体质量,有效缓解有源区应力,并改善水平方向电流扩展,进而实现提高发光二极管发光效率的目的,制得的发光二极管亮度高。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 aln pss 复合 衬底 亮度 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于AIN/PSS复合衬底的高亮度发光二极管,其特征在于,包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底(101)、u型GaN合并层(102)、n型GaN层(103)、低温GaN V-pits层(104)、有源区(105)、电子阻挡层(106)、高温p型GaN层(107)和接触层(108);/n所述u型GaN合并层(102)包括从下到上依次层叠设置的第一u型GaN层、第二u型GaN和第三u型GaN;所述第一u型GaN层的厚度为0.8~1μm,生长温度为1010~1020℃,反应室压力为200~300torr,V族源/III族源摩尔比为1000-1200;所述第二u型GaN层的厚度为0.8~1μm,生长温度为1020~1030℃,反应室压力为100~150torr,V族源/III族源摩尔比为1300~1500;所述第三u型GaN层的厚度为0.8~1μm,生长温度为1050~1080℃,反应室压力为75~100torr,V族源/III族源摩尔比为1300~1500。/n
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