[发明专利]一种基于AlN/PSS复合衬底的高亮度发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910942692.4 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110729383B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 贾传宇;胡西多 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 姚招泉 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于AIN/PSS复合衬底的高亮度发光二极管及其制备方法，所述高亮度发光二极管包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底、u型GaN合并层、n型GaN层、低温GaN V‑pits层、有源区、电子阻挡层、高温p型GaN层和接触层。本发明的高亮度发光二极管包括新型结构的u‑GaN合并层，以及V‑pits层和有源区，能够有效提高外延层晶体质量，有效缓解有源区应力，并改善水平方向电流扩展，进而实现提高发光二极管发光效率的目的，制得的发光二极管亮度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 aln pss 复合 衬底 亮度 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于AIN/PSS复合衬底的高亮度发光二极管，其特征在于，包括从下到上依次层叠设置的AlN/PSS复合衬底(101)、u型GaN合并层(102)、n型GaN层(103)、低温GaN V-pits层(104)、有源区(105)、电子阻挡层(106)、高温p型GaN层(107)和接触层(108)；/n所述u型GaN合并层(102)包括从下到上依次层叠设置的第一u型GaN层、第二u型GaN和第三u型GaN；所述第一u型GaN层的厚度为0.8～1μm，生长温度为1010～1020℃，反应室压力为200～300torr，V族源/III族源摩尔比为1000-1200；所述第二u型GaN层的厚度为0.8～1μm，生长温度为1020～1030℃，反应室压力为100～150torr，V族源/III族源摩尔比为1300～1500；所述第三u型GaN层的厚度为0.8～1μm，生长温度为1050～1080℃，反应室压力为75～100torr，V族源/III族源摩尔比为1300～1500。/n
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