[发明专利]一种晶体管管芯结构及制作方法有效
| 申请号： | 201910942730.6 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110676317B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 郑伯涛;陈建星;邱文宗;林易展;王淋雨;林伟;章剑清;郭一帆;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/417;H01L21/335 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管管芯结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在具有有源区、无源区、源极、漏极和栅极的半导体衬底上沉积第一层金属，在有源区形成源极金属和漏极金属，靠近源极的一侧的最外侧源极金属为第一源极金属，其余的源极金属为第二源极金属，源极金属的一侧延伸至无源区；沉积第二层金属，在相邻的源极金属和漏极金属之间形成栅极金属；沉积第三层金属，形成源极连线金属、漏极连线金属和栅极连线金属；以第一源极金属无源区部分和第二源极无源区部分为桥墩位置制作源极金属桥，源极金属桥连接源极金属和源极金属；本发明制作连通源极时不跨越有源区的栅极金属和漏极金属的金属桥结构，减小了寄生电容，提升器件射频工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 管芯 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管管芯结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在具有有源区、无源区、处在无源区且在有源区一侧的栅极和处在无源区且在有源区另一侧的源极漏极的半导体衬底上沉积第一层金属，在有源区形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属交替排布且相互平行，靠近源极的一侧的最外侧源极金属为第一源极金属，其余的源极金属为第二源极金属，源极金属的一侧延伸至无源区；/n沉积第二层金属，在有源区中相邻的源极金属和漏极金属之间形成栅极金属；/n沉积第三层金属，在无源区形成源极连线金属、漏极连线金属和栅极连线金属，源极连线金属在无源区上连接第一源极金属和源极，漏极连线金属在无源区上连接各个漏极金属与漏极，栅极连线金属在无源区上连接各个栅极金属与栅极；/n沉积金属桥金属，以第一源极金属无源区部分、第二源极金属无源区部分为桥墩位置形成源极金属桥，源极金属桥以第一源极金属无源区部分和第二源极金属无源区部分为桥墩位置连接第一源极金属和第二源极金属。/n
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