[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910942772.X 申请日: 2019-09-30
公开(公告)号: CN112582556B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 孙培川;杨一行 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,其中所述量子点发光二极管,包括阳极、量子点发光层及阴极,所述量子点发光层包括至少一层第一量子点发光层和至少一层第二量子点发光层,所述第一量子点发光层和所述第二量子点发光层交替设置,所述第一量子点发光层包括第一量子点,所述第二量子点发光层包括第二量子点,所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同;或者,所述量子点发光层包括第一量子点与第二量子点,所述第一量子点与所述第二量子点的形貌不同。本发明结合多种不同形貌量子点,对量子点发光层进行合理的搭配,具体通过间隔设置不同形貌的量子点层,从而提高了量子点发光层的稳定性及电荷传输效率。
搜索关键词: 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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